Pemanas jenis Wafer Level CSP (Chip Scale Package)

Mon, 22 Jun 2026 22:52:22 +0800

Di ruang pengeluaran, perubahan suhu sebanyak 0.5°C dalam proses pembakaran boleh menyebabkan perubahan ketebalan garisan pada permukaan wafer sebanyak beberapa nanometer. Selain itu, kehadiran zarah-zarah tertentu boleh merosakkan keseluruhan produk yang dihasilkan. Pemanas jenis CSP perlu menghasilkan haba yang konsisten, bersih, dan dengan kelajuan yang mencukupi untuk memenuhi keperluan proses pengeluaran. Kami telah mereka pemanas inframerah berdasarkan prinsip-prinsip ini.

Apa yang penting dari segi teknikal:
Kami menggunakan sumber inframerah gelombang pendek yang mampu menghasilkan haba dengan cepat. Dengan cara ini, suhu dapat dicapai dalam masa beberapa saat sahaja, dan sistem kawalan berulang dapat berfungsi dengan efektif. Perbezaan suhu pada permukaan wafer kekal pada tahap ±0.1°C, sekali gus memastikan proses pembakaran berjalan dalam lingkungan yang ditetapkan oleh teknologi litografi. Penempatan elemen pemanas dilakukan sedemikian rupa agar haba disalurkan secara seragam ke seluruh permukaan wafer. Permukaan bilik pula perlu disejukkan agar pengendapan zarah-zarah tertentu dapat dikurangkan. Reka bentuk pemanas ini juga disesuaikan agar sesuai dengan standard bilik bersih kelas 1–100: bahan-bahan yang digunakan mempunyai kadar pelepasan gas yang rendah, permukaannya mudah dibersihkan, dan aliran udara serta sistem penutupan dibuat sedemikian rupa agar jumlah zarah yang terhasil diminimumkan.

Tingkat on Professional IR Heating Solutions

Pemanas jenis Wafer Level CSP (Chip Scale Package)