Heizer auf Wafer Ebene im Chip Scale Package Format

Mon, 22 Jun 2026 22:52:22 +0800

In der Fertigungsstätte führt eine Abweichung von 0,5 °C im Trocknungsprozess dazu, dass die Breite der Linien um wenige Nanometer zunimmt. Zudem kann ein Anstieg der Partikelzahl dazu führen, dass ein großer Teil der Produkte unbrauchbar wird. Die Heizgeräte auf Wafer-Ebene müssen Wärme liefern, die zuverlässig, sauber und schnell genug ist, um mit dem Zyklus der Maschine Schritt zu halten. Unsere Infrarotheizer wurden unter Berücksichtigung dieser Anforderungen entwickelt.

Was technisch wichtig ist
Wir verwenden Kurzwellen-Infrarotquellen mit schnellem Temperaturanstieg. Dadurch erreicht die Temperatur bereits innerhalb weniger Sekunden ihr Zielwert – dadurch bleibt auch die Steuerung im Bereich des gewünschten Temperaturprofils. Das thermische Profil auf der gesamten Fläche des Wafers bleibt bei ±0,1 °C, wodurch sowohl das sanfte als auch das intensive Trocknen im Rahmen der Anforderungen der Lithografie erfolgt. Die Emittoren sind so angeordnet, dass eine gleichmäßige Wärmeverteilung gewährleistet wird. Zudem bleiben die Oberflächen der Kammer kühl, was die Deposition verringert und die Entstehung von Partikeln minimiert. Die Kompatibilität mit Reinraumklassen 1–100 ist ebenfalls berücksichtigt: Die verwendeten Materialien geben nur wenig Gase ab, die Oberflächen können leicht gereinigt werden, und der Luftstrom sowie die Dichtung sorgen dafür, dass die Partikelanzahl gering bleibt.

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Heizer auf Wafer Ebene im Chip Scale Package Format